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研究前沿:香港理工大学柴扬团队,二维半导体-硒接触 | Nature Nanotechnology

今日新材料 2025-12-10 11:30
文章摘要
背景:在二维半导体器件中,实现低电阻接触是关键挑战,尤其是p型二维半导体,传统半金属如铋虽在n型半导体中取得进展,但在p型中仍难以实现超低接触电阻。研究目的:香港理工大学柴扬团队旨在通过引入超薄硒界面层,构建能带杂化的半金属接触,以抑制金属诱导带隙态,降低p型半导体的接触电阻。结论:该研究成功将硒层与金电极结合,诱发能带杂化,使接触界面呈现半金属特性,应用于p型WSe2晶体管后,接触电阻降至540 Ω μm,沟道长度80 nm时饱和开态电流密度达430 μA μm−1,该方法具有普适性,可推广至黑磷、碳纳米管等p型半导体,为纳米级器件提供了可靠技术路径。
研究前沿:香港理工大学柴扬团队,二维半导体-硒接触 | Nature Nanotechnology
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