香港理工大学，Nature Nanotechnology！

背景：在纳米电子器件中，金属电极与半导体沟道间的电接触性能至关重要，尤其对于p型二维半导体，传统高功函数金属因高载流子密度引入金属诱导带隙态，导致费米能级钉扎，难以实现低电阻欧姆接触。研究目的：开发一种能同时提供高有效功函数并抑制金属诱导带隙态的新型接触策略，以攻克p型半导体低电阻接触难题。结论：本研究提出“能带杂化硒接触”策略，通过引入超薄硒界面层与金电极发生能带杂化，形成半金属态，提升有效功函数并抑制带隙态。应用于p型WSe₂晶体管获得540 Ω·μm的超低接触电阻和430 μA/μm的高饱和电流密度，并成功拓展至黑磷、碳纳米管等材料，展现出卓越的普适性、稳定性及工艺兼容性，为高性能p型纳米电子器件集成提供了可靠方案。