香港大学，最新Nature Nanotechnology！

背景：人工智能与边缘计算的发展受限于传统硬件中内存与处理器间的数据搬运瓶颈。内容可寻址存储器通过在内存内部直接处理信息提供解决方案，但现有硅基或新兴非易失性存储器方案受限于硅晶体管特性，如电流开关比不足。研究目的：为克服硅基限制，香港大学研究团队旨在利用原子级薄的二维二硫化钼闪存与半金属锑接触，构建高性能的模拟内容可寻址存储器，以提升搜索能效、降低延迟并支持机器学习应用。结论：该研究成功制备了基于Sb接触MoS₂闪存的模拟内容可寻址存储器阵列，实现了高读出示电流、大开关比、极低的单元搜索能耗和超快搜索延迟。器件展示了优异的可靠性、均匀性和多级存储能力。在阵列中演示了并行范围搜索，并通过模拟汉明距离计算实现了高效的k近邻分类，精度高。该工作凸显了二维材料在构建高能效、可扩展的边缘计算硬件方面的变革潜力。