研究前沿:复旦大学周鹏/刘春森团队,二维半导体-晶圆级单层介电材料- | Nature Materials
今日新材料
2026-01-14 11:30
文章摘要
背景:随着金属氧化物半导体场效应晶体管的持续微缩,采用超薄二维沟道材料成为一种可行策略,但实现亚1纳米电容等效厚度的稳健介电集成仍具挑战。研究目的:复旦大学刘春森和周鹏团队旨在开发一种可扩展的方法,在二维半导体上集成超低电容等效厚度的介电质层。结论:研究通过MoS₂转化制备了晶圆级单层MoO₃,可与原子级薄半导体无缝集成,并作为介电层实现了低至0.64纳米的电容等效厚度,顶栅晶体管展现出高开关比和陡峭亚阈值摆幅,器件阵列良率达92.2%,栅极漏电流符合低功耗标准,标志着该技术向未来工业应用迈出了关键一步。
本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿,本站转载出于非商业性的教育和科研之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请作者速来电或来函联系。