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研究前沿：复旦大学包文中/周鹏团队，存储器芯片-二维半导体MoS\u2082 | 三天第2篇Nature Materials

今日新材料 2026-01-19 11:30
文章摘要
本文介绍了复旦大学团队在二维半导体MoS₂边接触场效应晶体管方面的研究突破。背景方面，二维半导体作为后摩尔时代的关键材料，其工业应用受限于接触工程挑战，尤其是边接触在导通电流、阈值电压和关态漏电流的协同优化难题。研究目的旨在通过原位多步工艺解决界面缺陷问题，优化晶体管性能。结论显示，该工艺制备的晶体管实现了超低漏电流和高导通电流，并成功构建了无电容两晶体管动态随机存储器，展示了准非易失存储、高精度和快速写入特性，突显了二维半导体在存储器件中的巨大潜力。
研究前沿：复旦大学包文中/周鹏团队，存储器芯片-二维半导体MoS\u2082 | 三天第2篇Nature Materials
查看文献： Quasi-non-volatile capacitorless DRAM based on ultralow-leakage edge-contact MoS2 transistors.
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