研究进展：许晓栋，二碲化钼MoTe\u2082-无耗散分数陈绝缘体 | Nature Physics

背景：分数陈绝缘体是一种在零磁场下呈现分数化量子反常霍尔效应的关联拓扑相，其能隙由晶格尺度决定，理论上比传统分数量子霍尔态具有更大能隙和更高工作温度的潜力，但其激发机制和能隙调控规律尚不明确。研究目的：针对分数陈绝缘体实验中通常存在显著纵向电阻（耗散）的问题，研究旨在通过实验实现无耗散的分数陈绝缘体，并探究其能隙对磁场的响应行为。结论：研究团队在转角二碲化钼双层器件中观测到了量子化的反常霍尔电阻和趋于零的纵向电阻，实现了无耗散分数陈绝缘体。研究发现该分数态的热激活能隙随磁场增加迅速减小并饱和，揭示了低磁场下自旋相关准粒子主导、高磁场下无自旋准粒子主导的两种激发通道共存机制，为理解和调控关联拓扑态提供了关键实验依据。