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段镶锋,Nature Materials!

纳米人 2026-02-24 19:52
文章摘要
背景:卤化铅钙钛矿(LHPs)因其优异的光电性能在光伏和发光器件领域极具潜力,但其软离子晶格和低本征载流子掺杂导致难以实现低电阻接触,常规金属沉积工艺会损伤界面,造成高接触电阻。研究目的:为解决钙钛矿界面接触电阻高和有效电荷掺杂难的问题,研究提出一种利用低能范德华集成工艺将银/金电极转移到单晶CsPbBr3薄膜上,通过退火和紫外处理形成Ag2O/CsPbBr3体异质结的接触掺杂策略。结论:该方法在接触区域诱导了约5×10¹⁷ cm⁻³的局部空穴密度,显著收缩了肖特基势垒,将接触电阻降至26–70 Ω cm,实现了高效的载流子注入,为钙钛矿高性能电子器件开发提供了新途径。
段镶锋,Nature Materials!
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