大连化物所周传耀研究员团队JACS:表面缺陷位点激发介导吸附质/半导体界面超快热电子转移
ChemBeanGo
2026-03-02 10:30
文章摘要
本研究背景聚焦于半导体光催化技术在能源与环境领域的应用潜力,但传统光催化剂存在禁带宽度宽、载流子复合快等局限。研究目的是通过结合飞秒时间分辨光电子能谱与第一性原理计算,首次直接观测并阐明从半导体块材到吸附质分子的缺陷介导热电子转移机制。结论表明,缺陷位点(如Ti³⁺)作为“跳板”,能介导超快(约15飞秒)的热电子转移至吸附质轨道,避免了传统电荷传输中的能量损耗,为光生电荷的高效利用提供了新路径,并拓展了对缺陷在光催化中作用的理解。
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