研究前沿：p型二维晶体管Nb₀.₃W₀.₇Se₂-接触材料 | Nature Electronics

背景：在纳米电子学领域，开发新型材料以替代传统硅基场效应晶体管（FET）是技术发展的关键。单层过渡金属二硫化物（TMDs），如二硒化钨（WSe₂），因其优异的电子特性被视为未来超小型FET的有力候选。然而，实现p型单层TMD晶体管的低接触电阻是一大挑战，传统高功函数金属易引入界面缺陷，增大肖特基势垒。研究目的：普渡大学的研究团队旨在探索金属性二维材料作为接触电极，以解决p型WSe₂晶体管的接触电阻问题，并实现高性能器件。结论：该研究提出使用金属性层状材料Nb₀.₃W₀.₇Se₂作为接触材料，成功制备了二维-二维接触的p型WSe₂晶体管。在单层和双层WSe₂沟道上，分别实现了高达358 µA µm⁻¹和1.1 mA µm⁻¹的导通电流密度，并结合薄栅介质层实现了88 mV dec⁻¹的亚阈值摆幅，展示了高性能和可缩微化的潜力。