中国科学技术大学闫文盛/刘超成Nature子刊 | 范德华异质结构中界面磁相互作用修饰的自旋激子耦合！

背景：激子作为半导体中的量子化束缚态，是光电器件和量子技术的研究核心。将磁性材料与半导体结合，有望通过操控自旋等自由度调控激子态。二维范德华反铁磁半导体（如CrSBr）因与激子强耦合而受关注，但如何实现对激子光学特性的双向、可控调制仍是关键挑战。研究目的：通过在CrSBr/Fe₃GaTe₂范德华异质结中，利用界面磁相互作用调控自旋-激子耦合，旨在实现对CrSBr激子能量的双向调制。结论：研究成功实现了激子能量的双向可调，观察到蓝移和红移分别超过总带宽的6.1%和8.6%。界面电荷转移驱动的磁耦合增强了CrSBr的磁各向异性和交换相互作用，稳定了其反铁磁自旋构型，抑制了层间电子-空穴复合，导致激子发射出现反常蓝移。这一发现为二维反铁磁半导体中激子能量的调控提供了新方法，在光自旋电子学器件和量子信息领域具有应用潜力。