AM：基于Sn─Pb钙钛矿的940Nm近红外光突触用于高效人脸识别

本文报道了一种基于Sn-Pb钙钛矿的940 nm近红外光突触场效应晶体管(FET)，用于高效人脸识别。背景：锡铅钙钛矿因窄带隙和强近红外吸收在神经形态光电子学中具有潜力，但形成高质量半导体薄膜的挑战限制了高性能三端人工突触的发展。研究目的：通过分子添加剂1-溴-4-(甲基亚磺酰基)苯(BMSB)精确调节结晶，扩大晶粒，抑制陷阱形成，制备均匀高结晶度的FASn0.8Pb0.2I3薄膜，实现高效的940 nm传感和神经形态调控。结论：优化后的器件实现了高空穴迁移率和940 nm下231 A W−1的响应率，表现出可靠的突触行为（如兴奋性突触后电流、成对脉冲促进和学习-遗忘循环）。将突触场效应晶体管集成到储层计算框架中，实现了精确的近红外面部识别，突显了传感器内计算的潜力。