研究进展：薄膜晶体管-In2O3 | Nature Electronics

沙特阿卜杜拉国王科技大学的研究人员在Nature Electronics上发表文章，报道了在硅/二氧化硅衬底上室温制造的单片三维集成氧化铟薄膜晶体管。该研究利用兼容CMOS的工艺，成功堆叠了10个n-沟道In2O3薄膜晶体管，展示了不同的架构如底栅、顶栅和双栅器件。双栅器件表现出增强的电气性能，包括高场效应迁移率和宽的电流开/关比。此外，通过在不同位置集成双栅In2O3薄膜晶体管，实现了信号增益约为50且噪声容限较宽的单极性反相器电路。这一技术的发展为高密度、高能效和低成本的集成电路制造提供了新的可能性。