中科院上海微系统所，最新Nature！

中科院上海微系统所的研究团队成功开发了一种新型的高质量顶栅电介质材料——原子级薄单晶Al2O3(c-Al2O3)，用于二维场效应晶体管(2D FET)。该研究解决了传统介质材料在纳米级别厚度下绝缘性能下降的问题，通过插层氧化技术在室温下形成稳定的c-Al2O3层，厚度仅为1.25 nm。这种新材料具有良好的晶体结构和界面特性，能够满足国际设备和系统路线图的要求。研究团队通过一步转移工艺实现了顶栅MoS2 FET，显示出优异的电学性能，如陡峭的亚阈值摆幅和高开/关电流比。此外，该技术展示了生产高质量单晶氧化物的可能性，适合集成到完全可扩展的先进2D FET中，为未来高性能电子设备的发展奠定了基础。