中国科学院福建物质结构研究所张健团队：异金属与配体调控策略调节金属氧簇光刻性能

本文研究了中国科学院福建物质结构研究所张健团队在金属氧簇（MOCs）光刻胶领域的重要进展。背景方面，极紫外光刻（EUVL）是7 nm及以下技术节点的关键工艺，亟需高分辨率、低线边缘粗糙度和高灵敏度的光刻胶材料。研究目的是通过异金属掺杂与卤代羧酸配体的协同调控，揭示卤素类型及其化学环境对MOCs光刻胶性能的影响规律。研究团队设计合成了三种具有不同卤素特性的异金属{Zr6Sn4}氧簇，通过实验与理论计算相结合的方法，阐明了卤素种类/化学环境与光刻性能的构效关系。结论表明，间三氟甲基苯甲酸根修饰的SnOC-5材料表现出最优异的性能，其高氟含量及易断裂的Csp3-F/Ph-CF3键可高效生成活性自由基，使材料具有最高光刻灵敏度。该研究为开发新型高性能MOCs光刻胶提供了重要的理论指导和设计思路。