Nano Res.[单元]│南京大学朱马光课题组：碳纳米管晶体管与静态随机存储器的单粒子效应研究

本文研究了碳纳米管晶体管（FET）和静态随机存储器（SRAM）的单粒子效应。背景方面，文章指出碳纳米管因其高强度碳-碳共价键和纳米尺度横截面积等特性，具有出色的抗辐照能力，适用于深空探测等航天应用。研究目的在于系统地评估碳基器件的单粒子效应，并通过实验和仿真揭示其机理。实验结果显示，碳纳米管FET与SRAM的单粒子效应阈值约为5 nJ/pulse，表现出优异的抗单粒子辐照能力。通过TCAD仿真发现，碳基器件的单粒子效应主要源于栅介质电荷沉积，而非硅基器件中的沟道电荷沉积。结论表明，优化栅极控制能力可显著提升碳基器件的抗单粒子辐照能力，为抗辐照碳基芯片设计提供了理论依据，具有广阔的航空航天应用前景。