北京大学PRL | 原子级薄六方氮化硼：间接带隙半导体

本文介绍了北京大学物理学院和北京理工大学物理学院合作在原子级薄六方氮化硼（h-BN）能带结构研究上的重要进展。研究通过深紫外共振激发等多种测量手段，证实了单层及多层六方氮化硼均为间接带隙半导体，纠正了长期以来科学界对其为直接带隙半导体的误解。这一发现对于六方氮化硼在深紫外发光器件、自旋电子器件和量子信息器件等领域的应用具有重要意义。研究团队结合实验和理论计算，系统性地研究了不同厚度的氮化硼样品，发现1~3层样品中仅有共振拉曼信号，而4层及以上样品中首次观测到了声子辅助的间接带隙跃迁信号。这一成果为六方氮化硼的基础研究和应用开发提供了重要依据。