研究前沿：莫特相变材料NbO₂-视觉芯片/电光莫特神经元 | Nature Electronics

本文介绍了斯坦福大学与桑迪亚国家实验室联合研究团队在Nature Electronics上发表的一项突破性研究，他们开发了一种基于二氧化铌（NbO₂）的电光莫特神经元。该研究解决了电学和光学功能在单个芯片上集成的难题，通过溅射法制备的NbO₂薄膜实现了电学阈值开关、类神经元振荡及可见光发射（峰值波长810 nm）。实验表明，光发射源于电子跃迁而非热辐射，光发射效率达0.21μW/24.5mW。这一成果为类脑计算、片上视觉系统及低延迟光互连提供了新的技术路径。