石墨烯之父，Nature！

本研究背景聚焦于二维电子体系品质优化，指出石墨烯器件质量虽持续提升但仍落后于半导体异质结构。研究目的旨在通过创新性采用1纳米间距石墨栅极实现邻近屏蔽，显著提升石墨烯电子品质。实验结果表明：电荷不均匀性降低两个数量级至10⁷ cm⁻²量级，量子迁移率达到10⁷ cm²V⁻¹s⁻¹，较最优半导体异质结构提升十倍；舒勃尼科夫-德哈斯振荡在1 mT超低磁场下显现，量子霍尔平台在5 mT时形成。结论证实该技术虽会抑制电子-电子相互作用，但空间尺度短于10纳米的多体现象（如分数量子霍尔态）仍保持稳健，为探索新型量子现象提供了突破性技术路径。