南昌大学程抱昌/赵婕团队：通过金属-钙钛矿界面工程精准调控忆阻器性能

本研究针对传统计算架构的“存储墙”瓶颈，探索了基于卤化物钙钛矿的忆阻器在神经形态计算中的应用。研究目的旨在通过金属-钙钛矿界面工程，系统解析电极化学活性对忆阻性能的影响机制。通过采用准二维CsPbBr3薄膜和系列金属电极（Au、Ag、Cu、Al），结合双层电极设计成功分离了本征界面反应与表面氧化效应。研究结论表明：中等活性的Cu电极可实现稳定的双极性阻变特性，其性能优化源于可控的界面氧化与适中的化学反应性；而惰性Au电极无法激活阻变，高活性Al电极则因过度界面反应导致器件失效。该工作为高性能钙钛矿忆阻器的电极设计提供了理论指导。