院士领衔！北京科技大学，最新Science！

背景：随着电子器件尺寸逼近极限，金属-半导体接触成为影响二维过渡金属硫族化合物性能的核心瓶颈，传统范德华接触存在界面结合弱、热稳定性差等问题。研究目的：北京科技大学团队提出原子层键合技术，通过精准移除MoS₂顶层硫原子，使金属与Mo原子层形成强耦合界面，旨在突破二维器件接触电阻高和热稳定性不足的工业应用瓶颈。结论：该技术实现了70 Ω·μm的超低接触电阻和1.1 mA/μm的高开启电流，在400°C高温下仍保持稳定，性能超越当前硅技术指标，为二维电子学从实验室走向工业化生产提供了关键解决方案。