他，ACS Nano副主编，最新Nature Nanotechnology!

背景：在纳米级晶体管中，金属-半导体界面的费米能级钉扎效应，特别是金属诱导带隙态（MIGS），是实现p型半导体低电阻欧姆接触的主要障碍。研究目的：香港理工大学柴扬院士团队旨在开发一种可扩展的方法，以降低p型二维半导体（如WSe₂）晶体管的接触电阻。结论：研究提出并验证了引入超薄硒（Se）界面层形成能带杂化半金属接触的策略。该策略通过Se与Au电极的相互作用，抑制了有害的MIGS形成，并利用Se的高有效功函数显著降低了肖特基势垒。实验表明，该方法使p型WSe₂晶体管获得了低至540 Ω μm的接触电阻和高达430 μAμm⁻¹的饱和电流密度，且具有良好的普适性和稳定性，为高性能p型纳米器件提供了可靠途径。