Nano Lett. | 中国科学技术大学：超薄高导电材料的高通量第一性原理设计
计算材料学
2025-12-13 14:34
文章摘要
背景：二维金属因其原子级厚度和高电导性在微电子等领域潜力巨大，但其热力学不稳定性限制了实际应用。范德华挤压技术通过封装提升了其稳定性。研究目的：受此启发，研究团队旨在通过高通量第一性原理计算，设计由六方氮化硼（h-BN）封装二维金属核的稳定三明治异质结构，以同时获得高热稳定性和高电导率。结论：研究成功构建了[h-BN]x/My/[h-BN]结构，筛选出铜（Cu）和金（Au）等金属核，其异质结构经模拟验证具有热稳定性和优异的电导性能，为超薄高导电材料的设计提供了理论依据，在纳米电子学和柔性电子器件中应用前景广阔。
本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿，本站转载出于非商业性的教育和科研之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题，请作者速来电或来函联系。
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
