研究前沿：二硫化钼MoS₂晶体管，沟道与接触长度均小于35纳米 | Nature Electronics

背景：随着硅基技术接近尺寸极限，二维材料成为晶体管进一步微型化的关键技术路径，但现有研究面临负阈值电压导致高关态漏电流、接触电阻增大以及研究多集中于单层材料等挑战。研究目的：本研究旨在通过产业兼容的金属有机化学气相沉积法制备晶圆级二硫化钼，并制造沟道与接触长度均小于35纳米的微型晶体管，探索不同层数沟道对性能的影响。结论：成功制备了沟道长度35纳米、接触长度30纳米的晶体管，其中三层二硫化钼晶体管在零栅压下表现出220μA μm⁻¹的高导通电流、正阈值电压及低于10pA μm⁻¹的低关态电流，其性能在接触微缩时优于单层器件，且通过约1000个器件的统计数据显示了方法的可靠性与可重复性。