(纯计算)吉林大学赵宏健团队Phys. Rev. Lett.: 共线反铁磁体中电可切换的非相对论性塞曼自旋分裂

背景：在自旋电子学领域，通过电场调控电子自旋是实现低功耗自旋逻辑与存储器的关键技术。传统方法依赖自旋-轨道相互作用，但其相对论性本质会导致自旋弛豫和信息耗散。研究目的：吉林大学赵宏健团队旨在阐明共线反铁磁体中电场可切换的非相对论性塞曼自旋分裂的产生机制，并建立指导新材料发现的理论体系。结论：通过自旋点群对称性分析，研究团队构建了理论框架，重点揭示了线性磁电和双线性压磁电两种电控机制。第一性原理计算在FeOOH和NaMnP材料中证实了该分裂效应。该工作为发现具有电可切换非相对论性塞曼自旋分裂的轻元素共线反铁磁体提供了理论指导，有望推动高性能自旋电子器件的发展。