研究进展：中国科学技术大学，莫尔超晶格WS₂/WSe₂异质结 | Nature Communications

背景：二维过渡金属硫族化合物异质结构形成的莫尔超晶格是探索关联激子态和谷电子学的新材料体系，但莫尔束缚双激子的谷极化特性及精细结构尚不清楚。研究目的：通过光致发光光谱技术，系统研究WS₂/WSe₂异质结构中莫尔束缚层间双激子的谷极化调控机制。结论：研究表明，双激子的谷极化可通过精细结构占据进行有效调控，在120 K时可达约55%，主要由谷内双激子主导；实验测得精细结构劈裂能为2.77 meV，与理论一致，为调控莫尔超晶格激子态和开发谷电子学器件提供了新见解。