研究前沿：半导体所，二维磁性隧道结 | Nature Communications

背景：二维半导体材料有望推动电子器件小型化与能效提升。研究目的：报道基于二维材料的磁性隧道结（MTJ）在零偏压下的高性能自旋输运特性。结论：实验实现了高达1100%的隧道磁阻和超过30,000%的零偏压自旋电压效应，其机制源于p-n结内建电场导致的自旋电子不对称扩散，该发现为低功耗自旋电子器件提供了新方案。