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苏州实验室/南京大学：二维半导体，二硫化钼MoS\u2082 | Science

今日新材料 2026-01-31 11:30
文章摘要
研究背景：随着硅基晶体管逼近物理极限，二维半导体材料被视为延续摩尔定律的关键，但现有生长技术难以兼顾规模化与高质量。研究目的：针对传统金属有机化学气相沉积技术存在的动力学限制和碳污染问题，旨在开发一种可规模化制备高质量二维半导体薄膜的方法。结论：研究团队创新性地提出氧辅助金属有机化学气相沉积技术，通过引入氧气重塑反应路径，成功制备出直径150毫米的高质量单晶二硫化钼晶圆，其电子迁移率突破100平方厘米每伏特每秒，为二维半导体的产业化提供了可行方案。
苏州实验室/南京大学：二维半导体，二硫化钼MoS\u2082 | Science
查看文献： Kinetic acceleration of MoS 2 growth by oxy-metal-organic chemical vapor deposition
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