文章摘要
背景:量子点发光二极管(QD-LEDs)因其溶液可加工性和优异的光学特性成为显示技术的有力候选,但无重金属(如镉)的蓝光量子点器件在深蓝光区域面临空穴注入势垒高、稳定性不足的挑战,性能远低于镉基器件。研究目的:开发一种策略以降低深蓝色ZnTeSe量子点QD-LED的空穴注入势垒,提升器件的效率和稳定性。结论:通过引入偶极辅助功能化策略,使用4-氨基苯硫酚(ATP)对ZnTeSe量子点进行表面重构,实现了量子点的长程有序排列和能级调节,同时钝化表面缺陷,将薄膜光致发光量子产率提升至90%。基于此的452nm深蓝光QD-LED实现了23.6%的外量子效率,在100 cd m⁻²亮度下T50工作寿命超过50,000小时,证明了环保型量子点可同时满足显示实用化的效率和稳定性要求。
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