陕师大 徐华、张磊AM:用于高性能二位电子器件的宽禁带镧系元素氧溴化物高κ介电材料
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2026-03-29 08:30
文章摘要
背景:随着集成电路技术节点向亚3纳米迈进,传统硅基场效应晶体管面临严峻挑战,二维材料成为后摩尔时代的理想选择,但需要开发兼具高介电常数和宽带隙的理想栅介质材料。研究目的:本研究旨在通过化学气相沉积法合成二维镧系元素氧溴化物(LnOBr)单晶,评估其作为高κ栅介质的性能,并构建基于此的MoS2场效应晶体管。结论:合成的LaOBr单晶具有宽禁带(>5.7 eV)、高介电常数(14.8)和低泄漏电流等优异绝缘性能。基于LaOBr顶栅的MoS2晶体管实现了高开关比、低亚阈值摆幅和良好的热稳定性,并成功集成了高性能反相器,为高性能二维电子器件的发展提供了新的介电材料体系。
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