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广工孙志鹏教授/中大卢侠教授AEM:氟掺杂抑制反位缺陷实现高压稳定钠电正极

能源学人 2026-04-09 11:55
文章摘要
背景:NASICON型钒基磷酸盐正极材料因具有高比容量潜力而备受关注,但其高电压V4+/V5+氧化还原反应可逆性差,主要源于充放电过程中V5+迁移形成“衍生反位缺陷”(DASD),导致结构退化和性能下降。研究目的:通过氟掺杂策略抑制V/Na反位缺陷的形成,以提升Na3VAl(PO4)3正极在高电压下的电化学性能。结论:氟掺杂成功提高了V5+迁移能垒和反位缺陷形成能,有效抑制了缺陷形成,显著增强了V4+/V5+反应可逆性、倍率性能和循环稳定性(5C下5000次循环后容量保持率91.5%),并为设计高稳定性高压钠电正极提供了理论依据。
广工孙志鹏教授/中大卢侠教授AEM:氟掺杂抑制反位缺陷实现高压稳定钠电正极
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