上海交大刘思羽JACS：激光诱导一维纳米线液相生长新路径

本文介绍了上海交通大学刘思羽团队在半导体纳米材料生长领域的新进展。背景方面，锗纳米线在高速电子器件中具有潜力，但传统高温气相法和液相法难以兼顾低温工艺与有序外延生长。研究目的旨在开发一种低温、无需光刻的液相外延方法，以实现高质量有序锗纳米线的直接生长与集成。结论表明，团队提出的激光诱导液-液-固(Laser-SLS)策略，利用激光局域光热效应，在常温溶液环境中一步实现了单晶锗纳米线的垂直外延阵列生长，并通过激光诱导周期性表面结构(LIPSS)效应实现自组织有序排列，无需光刻辅助。此外，该纳米线阵列展现出欧姆接触特性，有效改善了n型锗器件的接触性能。这项研究为先进CMOS器件与三维集成工艺提供了低成本、高效的新技术路径。