研究进展：极紫外光刻 | Nature Reviews Methods Primers

本文探讨了极紫外光刻（EUVL）技术在半导体工业中的应用及其技术演变。文章详细介绍了EUVL的主要部件、功能及其在提高分辨率和产量方面的创新方法。同时，文章还讨论了EUVL面临的挑战，如随机效应和抗蚀剂敏感性，并预测了未来EUVL的发展方向，包括高数值孔径系统和新型抗蚀剂平台。通过回顾当前EUVL的能力，文章旨在为半导体制造中EUVL的未来发展和演变提供见解。