Ka波段SiGe BiCMOS准逆F类功率放大器设计：寄生电容消除技术 | MDPI JLPEA

本文研究背景聚焦于5G毫米波通信对高频段功率放大器的需求，特别是在Ka波段（26.5-40 GHz）下，硅基工艺如SiGe BiCMOS虽具成本优势，但面临击穿电压和集成无源元件品质因数不足的挑战。研究目的是通过提出一种新型准逆F类（Quasi-F-1）功率放大器架构，提升38 GHz频段的功率附加效率（PAE）与输出功率。研究结论表明，该设计通过二次谐波阻抗调控与寄生电容动态消除技术，在0.43 mm2核心面积内实现了33%的PAE和18.8 dBm的输出功率，且实测ACPR与EVM满足5G调制信号需求，FoM值达到68，为毫米波5G前端提供了高能效解决方案。