Работа в перспективе направлена на получение электролюминесцентного материала в прозрачном для оптоволоконных линий спектральном диапазоне 1.5 мкм по технологии, совместимой с кремниевой. Это откроет возможность гибридизации оптических систем передачи данных с электронными системами обработки информации на уровне процессоров и позволит развить элементную базу оптических коммуникационных систем. Здесь предлагается рассмотреть альтернативный общепринятому A3B5 класс материалов: легированные редкоземельными элементами оксиды. Эта работа посвящена исследованию механизма протекания тока в пленках n- и pSiIn2O3:ErIn-контакт.
{"title":"Механизм протекания тока в ВЧ-магнетронно напыленных пленках\u0000In2O3:Er на кремнии","authors":"К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А. Шкляев","doi":"10.34077/rcsp2021-132","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-132","url":null,"abstract":"Работа в перспективе направлена на получение электролюминесцентного материала в прозрачном\u0000для оптоволоконных линий спектральном диапазоне 1.5 мкм по технологии, совместимой с\u0000кремниевой. Это откроет возможность гибридизации оптических систем передачи данных с\u0000электронными системами обработки информации на уровне процессоров и позволит развить\u0000элементную базу оптических коммуникационных систем. Здесь предлагается рассмотреть\u0000альтернативный общепринятому A3B5 класс материалов: легированные редкоземельными элементами\u0000оксиды. Эта работа посвящена исследованию механизма протекания тока в пленках n- и pSiIn2O3:ErIn-контакт.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"41 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"132435206","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В настоящей работе демонстрируются возможности разработанного нами подхода к Монте-Карло моделированию диффузии фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в фотоприемных матрицах на основе материала КРТ [1] в применении к вычислению временных характеристик процесса диффузии. В качестве примера в работе изучалось распределение ФНЗ по временам жизни в традиционных КРТматрицах с квадратными диодами при однородной засветке таких матриц. Отметим, что вычисление временных характеристик процессов переноса ФНЗ в фотоприемных структурах может представлять интерес, например, для лидарных применений фотоприёмников. Кроме того, знание времен жизни ФНЗ в матрицах позволяет судить о величине (эффективной) длины диффузии ФНЗ ld eff, реализующейся в условиях отбора фототока диодами матрицы из абсорбера при разных значениях геометрических и материальных параметров матриц.
{"title":"Эффективные времена жизни фотогенерированных носителей заряда в фотоприемных\u0000матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур","authors":"В.А. Стучинский, А. В. Вишняков","doi":"10.34077/rcsp2021-143","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-143","url":null,"abstract":"В настоящей работе демонстрируются возможности разработанного нами подхода к Монте-Карло\u0000моделированию диффузии фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в фотоприемных матрицах на\u0000основе материала КРТ [1] в применении к вычислению временных характеристик процесса диффузии.\u0000В качестве примера в работе изучалось распределение ФНЗ по временам жизни в традиционных КРТматрицах с квадратными диодами при однородной засветке таких матриц. Отметим, что вычисление\u0000временных характеристик процессов переноса ФНЗ в фотоприемных структурах может представлять\u0000интерес, например, для лидарных применений фотоприёмников. Кроме того, знание времен жизни\u0000ФНЗ в матрицах позволяет судить о величине (эффективной) длины диффузии ФНЗ ld eff,\u0000реализующейся в условиях отбора фототока диодами матрицы из абсорбера при разных значениях\u0000геометрических и материальных параметров матриц.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"40 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"115358879","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Диоды ИК фотоприемной матрицы управляются входными пиксельными транзисторами, которые определяют время накопления сигнала и рабочее напряжение на ИК фотодиодах. При обычных рабочих условиях сопротивление входного транзистора намного меньше сопротивления фотодиода и не лимитирует параметры работающего фотоприемного устройства. Входной пиксельный транзистор определяет нагрузочную кривую, вдоль которой изменяются ток и напряжение ИК-фотодиода при изменении входного фототока. Входные транзисторы открываются/закрываются изменением напряжения на затворе. В случае хорошо открытых транзисторов полное изменение тока равно изменению входного фототока.
{"title":"Частотно-контрастная характеристика ИК КРТ матриц в режиме работы с частично\u0000закрытыми пиксельными входными транзисторами","authors":"В. В. Васильев, А. В. Вишняков, Г. И. Сидоров","doi":"10.34077/rcsp2021-135","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-135","url":null,"abstract":"Диоды ИК фотоприемной матрицы управляются входными пиксельными транзисторами, которые\u0000определяют время накопления сигнала и рабочее напряжение на ИК фотодиодах. При обычных\u0000рабочих условиях сопротивление входного транзистора намного меньше сопротивления фотодиода и\u0000не лимитирует параметры работающего фотоприемного устройства. Входной пиксельный транзистор\u0000определяет нагрузочную кривую, вдоль которой изменяются ток и напряжение ИК-фотодиода при\u0000изменении входного фототока. Входные транзисторы открываются/закрываются изменением\u0000напряжения на затворе. В случае хорошо открытых транзисторов полное изменение тока равно\u0000изменению входного фототока.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"29 32","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"120836060","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
А. В. Кацюба, Анатолий Васильевич Двуреченский, Г.Н. Камаев
В настоящей работе представлены результаты исследований по изучению возможности формирования тонких пленок CaSi2, путем воздействия электронного пучка с энергией 20 кэВ и плотностью тока 50 мкА/м2 на эпитаксиальную плёнку CaF2 на поверхности Si, т.е. в условиях радиационно-стимулированного роста
{"title":"Формирование пленки CaSi2 в условиях радиационного воздействия на структуру\u0000CaF2/Si","authors":"А. В. Кацюба, Анатолий Васильевич Двуреченский, Г.Н. Камаев","doi":"10.34077/rcsp2021-52","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-52","url":null,"abstract":"В настоящей работе представлены результаты исследований по изучению возможности\u0000формирования тонких пленок CaSi2, путем воздействия электронного пучка с энергией 20 кэВ и\u0000плотностью тока 50 мкА/м2 на эпитаксиальную плёнку CaF2 на поверхности Si, т.е. в условиях\u0000радиационно-стимулированного роста","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"62 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"121073537","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Мозаичный принцип - один из перспективных технологических подходов для достижения сверхвысокой размерности ИК ФП. Мозаичные фотоприемники (МФП) сверхвысокой размерности создают на базе прорывной технологии прецизионной микросборки фотоприемных кристаллов субмодулей меньших форматов, которые оптимальны для изготовления (Рис. 3) [6-7]. В работе исследованы зависимости основных характеристик ИК МФП сверхвысокой размерности от λmax, шага МСКЯ и формата субмодулей (Рис.1-2) [5-8]. МФП сверхвысокой размерности обладают огромной, расширяющейся индустриальной сферой применения в перспективных исследованиях.
{"title":"Применение эквивалентной шуму разности температур для конгруэнтности\u0000фотоприемников сверхвысокой размерности на основе многослойных структур с\u0000квантовыми ямами","authors":"Анатолий Иванович Козлов","doi":"10.34077/rcsp2021-150","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-150","url":null,"abstract":"Мозаичный принцип - один из перспективных технологических\u0000подходов для достижения сверхвысокой размерности ИК ФП.\u0000Мозаичные фотоприемники (МФП) сверхвысокой размерности\u0000создают на базе прорывной технологии прецизионной\u0000микросборки фотоприемных кристаллов субмодулей меньших\u0000форматов, которые оптимальны для изготовления (Рис. 3) [6-7]. В\u0000работе исследованы зависимости основных характеристик ИК\u0000МФП сверхвысокой размерности от λmax, шага МСКЯ и формата\u0000субмодулей (Рис.1-2) [5-8]. МФП сверхвысокой размерности\u0000обладают огромной, расширяющейся индустриальной сферой\u0000применения в перспективных исследованиях.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"15 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126960589","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Исследовано влияние изгиба поверхности гибридных фотоприемников (для двух флип-чип фотоприёмника выпуклой формы по двум перпендикулярным осям, см. рисунок) на их постепенное разрушение при многократных циклах охлаждения до температуры 77 K. Контроль формы поверхности фотоприемников был осуществлен интерференционным методом по непланарной стороне GaAs подложек. Флип-чип фотоприёмники были изготовлены ИФП СО РАН в рамках выполнения темы «Баян». Массивы фоточувствительных элементов были гетероэпитаксиальные твердые растворы кадмия, ртути и теллура (КРТ) на подложках из GaAs. Исследование выполнено на оборудовании Центра коллективного пользования «Спектроскопия и оптика» ИАиЭ СО РАН.
研究了混合光电接收器表面弯曲的影响(双垂直轴凸起式光电接收器芯片，见图)，它们逐渐破坏了多倍的冷却周期到77 K。对光电接收器表面的控制是通过非平坦的GaAs勺子的干涉方法进行的。flip光电接收器是由ifp从伤口到框架执行bayan主题。光敏元件的数组是加斯底座上的异质镉、汞和特鲁拉固体溶液。这项研究是由ihae seo rang的光谱学和光学中心设备进行的。
{"title":"Влияние величины изгиба флип-чип фотоприёмника на его разрушение при\u0000многократных циклах охлаждения до температуры жидкого азота","authors":"А.Р. Новоселов, П. А. Алдохин, П.П. Добровольский","doi":"10.34077/rcsp2021-152","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-152","url":null,"abstract":"Исследовано влияние изгиба поверхности гибридных фотоприемников\u0000(для двух флип-чип фотоприёмника выпуклой формы по двум\u0000перпендикулярным осям, см. рисунок) на их постепенное разрушение при\u0000многократных циклах охлаждения до температуры 77 K. Контроль формы\u0000поверхности фотоприемников был осуществлен интерференционным\u0000методом по непланарной стороне GaAs подложек.\u0000Флип-чип фотоприёмники были изготовлены ИФП СО РАН в рамках\u0000выполнения темы «Баян». Массивы фоточувствительных элементов были\u0000гетероэпитаксиальные твердые растворы кадмия, ртути и теллура (КРТ) на\u0000подложках из GaAs.\u0000Исследование выполнено на оборудовании Центра коллективного\u0000пользования «Спектроскопия и оптика» ИАиЭ СО РАН.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"60 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126463171","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В настоящей работе изучался следующий алгоритм восстановления СИ в фотоприемных матрицах, базирующийся на использовании в них фотоэлектрической связи между фотоэлементами. Полагаем, что подлежащее регистрации изображение сосредоточено в области между четырьмя диодами матрицы. Мы разбиваем эту область на 4x4 квадратных площадок, - и, моделируя диффузию фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в матрице методом Монте-Карло [1], вычисляем фотосигналы 4x4 окрестных диодов при однородном освещении светом каждой из площадок. При освещении фрагмента матрицы, образованной 16-ю площадками, “фигурным” излучением (например, в виде однородно засвеченного круга, кольца, и т.п.), применяя тот же метод моделирования, мы аналогичным образом можем сосчитать фотосигналы рассматриваемых 16-ти фотодиодов. Теперь задача состоит в том, чтобы приблизить использованное для засветки матрицы “фигурное” изображение картиной, образованной однородно (но с разной интенсивностью!) засвеченными площадками.
{"title":"Супер-разрешение без микросканирования: восстановление субпиксельных\u0000изображений из фотосигналов окрестных диодов матрицы как некорректно\u0000поставленная задача","authors":"В.А. Стучинский, А. В. Вишняков","doi":"10.34077/rcsp2021-144","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-144","url":null,"abstract":"В настоящей работе изучался следующий алгоритм восстановления СИ в фотоприемных матрицах,\u0000базирующийся на использовании в них фотоэлектрической связи между фотоэлементами. Полагаем,\u0000что подлежащее регистрации изображение сосредоточено в области между четырьмя диодами\u0000матрицы. Мы разбиваем эту область на 4x4 квадратных площадок, - и, моделируя диффузию\u0000фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) в матрице методом Монте-Карло [1], вычисляем\u0000фотосигналы 4x4 окрестных диодов при однородном освещении светом каждой из площадок. При\u0000освещении фрагмента матрицы, образованной 16-ю площадками, “фигурным” излучением (например,\u0000в виде однородно засвеченного круга, кольца, и т.п.), применяя тот же метод моделирования, мы\u0000аналогичным образом можем сосчитать фотосигналы рассматриваемых 16-ти фотодиодов. Теперь\u0000задача состоит в том, чтобы приблизить использованное для засветки матрицы “фигурное”\u0000изображение картиной, образованной однородно (но с разной интенсивностью!) засвеченными\u0000площадками.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"37 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"126920189","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Алексей Викторович Новиков, М. В. Степихова, С.А. Дьяконов
Использование различных резонаторов позволило значительно расширить возможности по управлению оптическими свойствами широкого класса структур. Одной из основных задач применения резонаторов для светоизлучающих структур является повышение эффективности источников излучения на их основе. В последние годы значительный интерес для решения этой задачи привлекают к себе диэлектрические микро- и нанорезонаторы, что во многом связано с низким уровнем потерь в них по сравнению с плазмонными резонаторами. В данной работе представлены результаты исследований использования различных диэлектрических резонаторов для управления излучением SiGe структур, которые направлены на создание источников излучения для кремниевой фотоники.
{"title":"Диэлектрические микро- и нанорезонаторы на светоизлучающих SiGe структурах","authors":"Алексей Викторович Новиков, М. В. Степихова, С.А. Дьяконов","doi":"10.34077/rcsp2021-28","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-28","url":null,"abstract":"Использование различных резонаторов позволило значительно расширить возможности по\u0000управлению оптическими свойствами широкого класса структур. Одной из основных задач\u0000применения резонаторов для светоизлучающих структур является повышение эффективности\u0000источников излучения на их основе. В последние годы значительный интерес для решения этой задачи\u0000привлекают к себе диэлектрические микро- и нанорезонаторы, что во многом связано с низким\u0000уровнем потерь в них по сравнению с плазмонными резонаторами. В данной работе представлены\u0000результаты исследований использования различных диэлектрических резонаторов для управления\u0000излучением SiGe структур, которые направлены на создание источников излучения для кремниевой\u0000фотоники.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"41 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128215287","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
Особый интерес для инженерии устройств прикладной оптики в ТГц диапазоне частот представляет разработка эффективных детекторов излучения методами нелинейной оптики. Цель данной работы заключается в исследовании одного из таких детекторов – кристаллов Ga50%Se50-x%Sx%, где x принимает значения: 0, 1.5, 6, 8, 11, на эффективность детектирования ТГц волн в телекоммуникационном диапазоне (1550 нм). Образцы для исследований были изготовлены в ИГиМ СО РАН. Атомное вхождение серы определялось методом ЭДС СЭМ. Также, на базе ИАиЭ СО РАН был собран ТГц спектрометр с генерацией лазерного излучения на длине волны 1550 нм. В работе проведено сравнение эффективности детектирования терагерцового поля в вышеупомянутом ряде кристаллов и приведено сравнение с наиболее распространенным детектором для длин волн 1550 нм – кристаллом GaAs. Предварительные результаты демонстрируют, что наибольшей чувствительностью обладает кристалл детектора GaSe с процентным содержанием серы в количестве 6%, а также падение чувствительности детектора на основе Ga50%Se44%S6% относительно GaAs на 25 % с учетом потерь на переотражение. Впервые произведена оценка электрооптического коэффициента для кристаллов GaSe (для длин волн 1550 нм), для наиболее чувствительного кристалла r33=2,36 пм/В.
频率范围内应用光学设备的工程特别感兴趣的是非线性光学的有效辐射探测器的开发。这项工作的目的是研究其中一种探测器:ga50%到50%的Sx晶体，其中x的值为0、1.5、6、8、11，以有效地检测电信波段(1550纳米)中的thc波。研究样品是在igim seo rang生产的。原子输入是由电动势山姆决定的。此外，在iaea seo rang的基础上，tgc光谱仪与1550纳米波长的激光发射相匹配。该工作比较了上述若干晶体中teragerogopolis检测器的效率，并比较了1550 nm波长最大的测谎仪，即GaAs晶体。初步结果显示，大通探测器晶体的敏感度最高，其硫含量为6%，而该晶体的低水平为50%，相对于损失为25%。第一次对GaSe晶体(波长1550纳米)进行了电光系数评估，r33= 2.36 pm / b。
{"title":"Детектирование ТГц волн в кристаллах GaSe:S с помощью фемтосекундных лазерных\u0000импульсов на длине волны 1550 нм","authors":"О. Н. Шевченко, Н. А. Николаев, К. А. Кох","doi":"10.34077/rcsp2021-41","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-41","url":null,"abstract":"Особый интерес для инженерии устройств прикладной оптики в ТГц диапазоне частот представляет\u0000разработка эффективных детекторов излучения методами нелинейной оптики. Цель данной работы\u0000заключается в исследовании одного из таких детекторов – кристаллов Ga50%Se50-x%Sx%, где x принимает\u0000значения: 0, 1.5, 6, 8, 11, на эффективность детектирования ТГц волн в телекоммуникационном\u0000диапазоне (1550 нм).\u0000Образцы для исследований были изготовлены в ИГиМ СО РАН. Атомное вхождение серы\u0000определялось методом ЭДС СЭМ.\u0000Также, на базе ИАиЭ СО РАН был собран ТГц спектрометр с генерацией лазерного излучения на\u0000длине волны 1550 нм. В работе проведено сравнение эффективности детектирования терагерцового\u0000поля в вышеупомянутом ряде кристаллов и приведено сравнение с наиболее распространенным\u0000детектором для длин волн 1550 нм – кристаллом GaAs.\u0000Предварительные результаты демонстрируют, что наибольшей чувствительностью обладает\u0000кристалл детектора GaSe с процентным содержанием серы в количестве 6%, а также падение\u0000чувствительности детектора на основе Ga50%Se44%S6% относительно GaAs на 25 % с учетом потерь на\u0000переотражение. Впервые произведена оценка электрооптического коэффициента для кристаллов GaSe\u0000(для длин волн 1550 нм), для наиболее чувствительного кристалла r33=2,36 пм/В.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"58 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"128203186","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
В работе представлены результаты Монте-Карло моделирования ленгмюровского испарения подложек арсенида галлия. Анализировалось влияние ориентации поверхности подложек на характеристики неравновесных высокотемпературных отжигов. Рассматривались сингулярные и вицинальные поверхности GaAs(111)A и GaAs(111)В с разными углами разориентации. Моделирование осуществлялось в температурном диапазоне 700 – 1000 K, включающем температуры конгруэнтного испарения Тс подложек с разным углом отклонения.
{"title":"Влияние ориентации поверхности на характеристики высокотемпературных отжигов\u0000подложек арсенида галлия","authors":"Н. Л. Шварц, А.А. Спирина","doi":"10.34077/rcsp2021-71","DOIUrl":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-71","url":null,"abstract":"В работе представлены результаты Монте-Карло моделирования ленгмюровского\u0000испарения подложек арсенида галлия. Анализировалось влияние ориентации поверхности\u0000подложек на характеристики неравновесных высокотемпературных отжигов.\u0000Рассматривались сингулярные и вицинальные поверхности GaAs(111)A и GaAs(111)В с\u0000разными углами разориентации. Моделирование осуществлялось в температурном диапазоне\u0000700 – 1000 K, включающем температуры конгруэнтного испарения Тс подложек с разным\u0000углом отклонения.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"140 6 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":null,"resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":"129049701","PeriodicalName":null,"FirstCategoryId":null,"ListUrlMain":null,"RegionNum":0,"RegionCategory":"","ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":"","EPubDate":null,"PubModel":null,"JCR":null,"JCRName":null,"Score":null,"Total":0}
京公网安备 11010802042870号
京ICP备2023020795号-1
扫码关注我们
求助内容：
应助结果提醒方式：